MOS场效应管

　　MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET，即金属氧化物组成半导体的场效应晶体管），归于绝缘栅型。在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因而具有很高的输入电阻（较高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。

　　根据导电方法的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时，管子是呈截止状况；加上正确的VGS后，大都载流子被吸引到栅极，然后“增强”了该区域的载流子，构成导电沟道。耗尽型则是指，当VGS=0时即构成沟道，加上正确的VGS时，能使大都载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。

　　MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高，而栅-源极间电容又十分小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少数电荷就可在极间电容上构成适当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。因而出厂时各管脚都绞合在一起，或装在金属箔内，使G极与S极呈等电位，防止积累静电荷